ESH1DM RSG
| 工場モデル | ESH1DM RSG |
|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 詳細な説明 | DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA |
| パッケージ | Micro SMA |
| 株式 | 527604 pcs |
| データシート | ESH1DM - ESH1JM |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.186 | $0.158 | $0.118 | $0.093 | $0.072 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTaiwan Semiconductor Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。527604のTaiwan Semiconductor Corporation ESH1DM RSGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.5 V @ 1 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 200 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro SMA |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 25 ns |
| パッケージ/ケース | 2-SMD, Flat Lead |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 200 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 3pF @ 4V, 1MHz |
| 基本製品番号 | ESH1 |
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